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行業(yè)專用儀器

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品牌	其他品牌	產(chǎn)地類別	進口
應用領(lǐng)域	綜合

產(chǎn)品咨詢龔經(jīng)理 I8721868497（VX同號）

美國 UNIVERSITY WAFER 熔融石英晶圓 UV、JGS1、JGS2、JGS3

熔融石英晶圓是高純度二氧化硅的薄片，用于生產(chǎn)半導體芯片等電子設備。熔融石英，也稱為熔融石英，是一種高純度和透明的二氧化硅形式，是通過在高溫下熔化天然存在的石英砂制成的。熔融石英晶片具有很強的耐熱性、耐化學性和耐化學性，使其成為電子設備生產(chǎn)中的理想基板材料。由于透明度高、吸收光率低，它們還用于生產(chǎn)光學元件，例如鏡頭和鏡子。

美國 UNIVERSITY WAFER 熔融石英晶圓

熔融石英 JGS1、JGS2、JGS3

我們備有所有三個等級的庫存，供您各自的研究使用

直徑	厚（um）	波蘭語
直徑	厚（um）	波蘭語	50.8 毫米	500 微米	擦光
JGS2 熔融石英頂部 Ra <1nm，背面粗糙度 Ra <1nm，S/D 40/20
JGS2 熔融石英頂部 Ra <1nm，背面粗糙度 Ra <1nm，S/D 40/20			50.8 毫米	100 微米	DSP
76.2 毫米	500 微米	DSP
1 平面 JGS2 初級平面 32.5+/-2mm，頂部 Ra <10A，S/D 40/20
1 平面 JGS2 初級平面 32.5+/-2mm，頂部 Ra <10A，S/D 40/20			100 毫米	500 微米	DSP
機械級熔融石英
機械級熔融石英			100 毫米	500 微米	DSP
100 毫米	1000 微米	DSP
熔融石英 JGS2 經(jīng)軸 <30um 弓 <30um， TTV <10um，頂面 Ra <1.0nm 背面 Ra <1.0nm， S/D 60/40 平面： 32.5+/-2mm
			100 毫米	700 微米	DSP
100 毫米	180 微米	DSP
熔融石英晶圓，JGS2，C 坡口，2.50 mm +/- 0.10 mm
熔融石英晶圓，JGS2，C 坡口，2.50 mm +/- 0.10 mm			100 毫米	2500 微米	DSP

用于評估熱膨脹和熒光/自發(fā)熒光特性的熔融石英基底

機械性能：

密度：約 2.2 g/cm3。
楊氏模量（E）：通常在 72 GPa（千兆帕）左右，表明其剛度。
泊松比：大約 0.17，這是相對收縮應變（橫向、橫向或徑向應變）與相對拉伸應變（或軸向應變）的比率。
硬度：莫氏硬度在 7 左右，使其相對堅硬且耐刮擦。
抗張強度：通常約為 48 MPa（兆帕）。表面缺陷會顯著降低實際拉伸強度。
抗壓強度：超過 1 GPa，遠高于其抗拉強度。
熱膨脹系數(shù)：非常低，約為 0.55 x 10??/°C，使其在很寬的溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定。

光學特性：

折射率：在 589 nm（可見波長）處約為 1.4585。該值在不同波長上會略有變化。
傳輸：熔融石英在紫外線（UV）到紅外線（IR）范圍內(nèi)具有高度透明性。它具有出色的透射率，在紫外到近紅外范圍內(nèi)通常超過 90%。
阿貝數(shù)：約為 67.56，表明色散相對較低。
雙折射：熔融石英是各向同性的，當它不受應力時不會表現(xiàn)出雙折射。
吸收：熔融石英在紫外到近紅外范圍內(nèi)的吸收率最小，但在深紫外和遠紅外范圍內(nèi)的吸收率會增加。

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美國 UNIVERSITY WAFER 熔融石英晶圓

熔融石英 JGS1、JGS2、JGS3

直徑

厚 （um）

波蘭語

JGS2 熔融石英頂部 Ra <1nm，背面粗糙度 Ra <1nm，S/D 40/20

1 平面 JGS2 初級平面 32.5+/-2mm，頂部 Ra <10A，S/D 40/20

機械級熔融石英

熔融石英 JGS2 經(jīng)軸 <30um 弓 <30um， TTV <10um， 頂面 Ra <1.0nm 背面 Ra <1.0nm， S/D 60/40 平面： 32.5+/-2mm

熔融石英晶圓，JGS2，C 坡口，2.50 mm +/- 0.10 mm

用于評估熱膨脹和熒光/自發(fā)熒光特性的熔融石英基底

機械性能：

光學特性：

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熔融石英 JGS2 經(jīng)軸 <30um 弓 <30um， TTV <10um，頂面 Ra <1.0nm 背面 Ra <1.0nm， S/D 60/40 平面： 32.5+/-2mm